富士通采用GaN类半导体开发高速高耐压H区域

日经BP社2006年10月26道 富士通和富士通研究所为毫米波频段无线通信设备等开发出了采用GaN类半导体的HEMT（GaN类HEMT）（发布资料）。耐压高达190V，“在用于毫米波频段的产品中耐压值为全球最高”（富士通）。预计用于信号发送放大器。2010年前后投入实用。最大振荡频率（fMAX）超过150GHz。原来的毫米波频段GaN类HEMT如要将fMAX达到150GHz以上，耐压只有60V左右。此次的HEMT在2006年10月2 日～25日于日本京都举办的“International Workshop on Nitrides 2006”会议上进行了技术发表。

用于毫米波频段的HEMT目前普遍使用GaAs类半导体。与GaAs类HEMT相比，GaN类HEMT的特点是耐压要高出1位数。从GaAs类HEMT来说，用于毫米波通信的放大器功率只有数W，而GaN类HEMT甚至能够达到100W以上。富士通和富士通研究所过去一直在为基站设备等开发GaN类HEMT。

此次的毫米波频段用HEMT与原来的毫米波波段用HEMT相比，有2点重要的不同之处：（1）在n型AlGaN层的基础上追加一层n型GaN层；（2）将栅电极结构由原来的T型变成了Y型。经过第（1）点的改进后，栅极泄漏电流减小了，能够向HEMT施加更高的电压，因而耐压提高了。第（2）点不仅可降低栅电极电阻，而且还有助于提高强度。降低栅电极电阻，可使HEMT的工作频率得到提高，从而提高了fMAX。而栅电极强度的提高，则使得栅电极在HEMT制作过程中不易受到损坏。