中国电科大讲堂第三代半导体发展现状及行业容易

人员配置难定磨合待加强想赢怕输作祟包袱难卸 6月12日，由中国电科知识产权中心主办，中国电科创新空间承办，海康乌镇街公司、国联万众半导体科技有限公司、甲子光年、创客总部以及武岳峰资本协办的中国电科创新大讲堂首期活动——“第三代半导体发展现状及行业应用趋势”在京圆满举行，本次活动邀请到中国电科第十三研究所所长助理党冀萍、武岳峰资本执行总监齐天宇、深圳爱仕特科技有限公司董事长杨良、第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山、绿能芯创创始人兼CEO廖奇泊、IMG中国区业务发展总监郑魁、北汽产投投资副总监林雨以及行业内专业投资机构、企业家和代表，共同讨论我国第三代半导体的行业现状及未来发展趋势。

中国电科第十三研究所所长助理党冀萍女士发表了题为《第三代半导体GaN发展现状与应用》的主题演讲，围绕第三代半导体GaN材料在射频电子、高效固态LED、宽禁带功率电子技术、固态紫外探测等多个领域的应用情况，强调其作为新一代半导体技术在支撑信息技术产业发展、解决新能源技术与环境问题的重要性。党女士指出，面向5G、新能源的应用，GaN器件有着不可替代的作用，但目前也存在着诸如成本、规模生产等问题。下一步若能顺利解决第三代半导体的相关技术问题，实现低成本、大规模、批量化生产，将对我国通信、新能源汽车等高新技术产业发展具有重要意义。

武岳峰资本执行总监齐天宇则从金融资本的角度发表了题为《第三代半导体碳化硅的产业布局》的主题演讲，阐述了目前第三代半导体的发展现状。随着中兴、华为事件的影响，政府部门和产业投资领域对于半导体行业的热度持续升温，大量产业资金流入，政府也出台多项政策扶持半导体产业发展，但是与国外产业巨头相比，国内目前尚未孵化出从衬底、设计、制造、封装等能整合产业链上下游的龙头型企业，半导体产业关键器件还是被CREE、英飞凌等国际巨头所垄断。但随着我国整体技术水平的不断提升，在第三代半导体尤其是SiC功率器件领域有实现赶超的可能性，对于专注于半导体领域的投资机构可通过金融的力量实现区域性的上下游产业链整合，逐渐形成产业聚集，打通整个行业资源的渠道，实现由产业下游往上游进行垂直整合，小步快跑，稳扎稳打，共同推进我国第三代半导体行业的发展。

深圳爱仕特科技有限公司董事长杨良分享了《SiC MOS在新能源汽车上的应用情况》主题演讲，杨总介绍随着SiC材料在新能源车载充电器、电容电感、冷却系统、电控系统等多个方面的应用，已逐步实现新能源汽车降低制造成本、增加续航里程的要求。杨总同时指出，在未来年，新能源汽车将逐渐替代传统汽车，SiC材料有着近千亿美元级别的市场，机会巨大。

在随后进行的圆桌论坛《半导体的新应用之路》上，各参会嘉宾从政府、产业、投资、人才、宏观环境等多个方面就第三代半导体行业的发展趋势做了更深入的交流。嘉宾们一致认为：当前在国家进行积极的战略部署和培育下，新一代半导体行业实现了部分进步，但也面临着人才缺口明显、资本耐心不足、工匠精神缺失等一系列问题，对此各位嘉宾提出希望通过加大政府引导与市场化手段培育，进行行业垂直整合，优化现有投资，不断培育人才，寻求开放合作，通过模式创新和结构创新，精益求精，扎实做好每一步，我国的第三代半导体行业必将有所突破，真正实现半导体领域的自主、可控。

活动中各位嘉宾与现场来宾就行业关心的问题进行了沟通，并在会后进行了热烈的交流。

本次活动获得了与会来宾的高度评价，中国电科知识产权中心及创新空间将继续打造“中国电科创新大讲堂”系列品牌活动，针对不同行业、不同领域推出各种形式的讲座、论坛与沙龙活动，与各技术界、产业界、投资界人士共谋发展解决方案。

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